公开号：	US2008029484A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	等离子体沉积过程中铝膜的原位加工过程
摘要：	等离子体不同杂质的内浓度可以在其例如硅片基底处理过程中被检测，以防止大量的杂质沉积在硅基底的表面。在辐射过程中从处理腔窗口透过的等离子体辐射线可以通过诸如发光摄谱仪等仪器对杂质进行检测并且通过比较不同杂质的相关峰强可以分析杂质的浓度。主体中介绍在等离子体化学气相沉积过程中等离子中铝的浓度可以被监测由此可以检测产品部件中铝的浓度是否低于允许的最大浓度。