公开号：	US2008029484A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	在等离子体沉积过程中对内层铝的原位处理诊断
摘要：	在等离子体中的不同污染物的浓度可以通过对基底（如硅片）的处理而被监控，为了防止不需要的污染物被沉积在基底上。在处理过程中通过处理腔体的窗口射出的产生于等离子体的辐射可以通过工具（如光学发射光谱仪（OSE））来探测与测量，并且光谱中与不同污染物相关谱峰的相对强度可以被分析来确定污染物的浓度。在一种实施下，等离子体中铝的浓度可以在等离子化学沉积（CVD）过程中被监控，来确定在制备的器件上铝的成分低于一个最大的极限量。