公开号：	US2006152186A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	控制和材料分析
专利名：	变相随机存储器PRAM的运行方法和结构
摘要：	提出了一种变相随机存储器的运行方法，该存储器包括一个开关装置和一个存储结点，包括一个相变层。该方法包括使用一个复位电流穿过相变层，从相变层的较低部分到较高部分，并且小于1.6mA，到达存储结点以将相相变层的一部分转变到一种非结晶状态。该设置电压在一个相反方向，一个连接器是小代表性区域。