公开号：	US2006202212A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体光学器件
摘要：	一个半导体光学器件包括一个第一导体类型的低熔履层，一个第二导体类型的高熔履层和一个活动层。低熔履层包括两个区域，第一区域沿着预定轴方向延伸，并且第二区域位于与第一区域相邻的位置。活动层位于低熔履层的第一区域和高熔履层之间，其厚度在方向上有所改变，所以TM模式增益和TE模式增益基本等同。