公开号：	US2006239318A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体激光器
摘要：	改善半导体激光器主体的光发射端面附近部分的热下沉性，以减少化学需氧量。具有能够发射激光的光发射端面的主体，是在n型砷化镓基底上形成的。在主体上，镀金属层的光发射端面附近的前端部分的厚度要大于镀金属层在沿着激光腔的方向上的中心部分的厚度。