公开号：	US2007069119A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体光井
摘要：	本设计涉及利用接接通过半导体材料或在半导体材料之上的光形成光井的方法和设备。选择最佳光井波长可以降低半导体的吸收。本设计提供一个领用掺硅半导体晶片作为基底形成光井的实例。还有一些利用光井进行微加工、力探针测量、分类、开关、有源激发和装配等方面的实例。