公开号：	US2007102704A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体器件及其制造方法
摘要：	本发明提供了一个制造带电路的半导体器件的方法。其组成为：一个具有GOLD（Gate-DrainOverlappedLDD，栅漏轻掺杂重叠）结构的TFT（ThinFilmTransistor，薄膜晶体管），其一个轻掺杂区与一个门电极的区域重叠，避免了半导体薄膜中氢浓度深度剖面高峰的形成，从而改进了TFT的电学特性。用本发明的方法制造半导体薄膜，可以得到良好的导电特性，甚至在未进行杂质元素活化时，只通过加氢进行处理。