公开号：	US2007215857A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体量子点器件
摘要：	本发明提供一种P型半导体屏蔽层放置在非参杂量子点附近，P型半导体屏蔽层内的孔将插入量子点价带的基态能级。用这种方法，降低量子点导带基态中的传导电子的电荷密度阈值，加速导带电子从激发态到基态的弛豫过程。