公开号：	US2007224545A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	沉浸光刻技术方法
摘要：	本发明是针对使用预处理晶面的沉浸光刻方法。该晶片表面局部进行了预处理，使晶片表面与之后使用的浸泡液体相容。预处理包括使用预处理液体或对预定区域执行表面处理或在晶片表面添加光阻层，以加强晶片或光阻层表面的润湿性。预处理过程是与暴露浸泡液体同步进行。