公开号：	US2007231712A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	交替相移掩模
摘要：	交替相移掩模可用干蚀刻法形成。干蚀刻法减少了湿蚀刻法在石英和玻璃上应用时出现的问题。此外，干切蚀刻法可以使图像在零和PI孔径之间平衡。这种方法并不局限于特定光学邻近校正设计模式或铬层厚度。