公开号：	US2007231749A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	形成半导体器件的方法
摘要：	形成门结构的方法包括提供一个半导体基板。一个门堆叠层在半导体基板上形成。第一掩模层在门堆叠层上。第二掩模层在第一掩模层上。光致抗蚀层在第二掩层上。第一和第二层的刻蚀使用模型化的光致抗蚀层作为一个掩模，因此模型化的第一和第二层掩模图案得到了实现。该图案的光阻层被删除。湿蚀刻会减少掩模层图案的横向宽度。第二掩模层的图案被删除，而第一掩模层图案被留下了，其横向宽度减少了。门堆叠层是通过使用横向宽度减少的第一掩模层图案得到的。