公开号：	US2007254218A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	相移掩模减少光学邻近效应，并利用相同的方法编写半导体器件
摘要：	相移掩模可降低光学邻近效应，包括一个基板和其上的至少一个相移模式，其中，相移模式包围至少一个光学校正模式。最好的情况是，光学校正模式是暴露给基板的孔，并在相移模式的交接处或拐角处。编制相移掩模方法包括，在基板上制备聚合物层，用电子束照射一个预定区，改变该区域聚合物层的分子结构，该第一区至少包围着第二区。随后，该地区以外的聚合物层被删除，形成一个相移模式，而第二预定区域形成一个光学校正模式。