| 摘要： | 本发明是一种单晶被动锁模半导体垂直外腔表面发射激光器（VECSEL）。该装置可以单一发射也可以阵列发射。VECSEL结构在GaAs,InPorGaSb衬底上，该装置包括一个具有多个量子井（QW）的有源区域，量子井由GaInAs,GaInAsP,GaInNAs,GaInNAsSb,AlGaAs或者GaAsP构成。基本发射波长由增益材料进行选择。增益区域夹在反射率接近100%的底部反射层和一个部分反射层之间。半导体间隔层由GaAs或者AlGaAs制成，它隔开了增益区域和半导体可饱和吸收器。半导体可饱和吸收器由一个由GaInAs,GaInAsP,GaInNAs,GaInNAsSb,AlGaAs或者GaAsP构成的一个或多个量子井和一个第二部分反射层组成。量子井可以是未掺杂的，掺氮，掺磷，或者混合掺杂的半导体材料构成的，增益介质发射的光能量被可饱和吸收量子井材料吸收。在半导体材料的两个相对的面n接触面和p接触面被金属化。激光二极管电流部分流过流层，是半导体可饱和吸收体饱和。 |