公开号：	US2008102380A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	高密度的光刻工艺
摘要：	本方法制作的模仿工艺与实物具有1:1的比例关系。本方法包括在基层（14）上形成第一蚀刻屏障层（18），使用（52）一个模板（20）在第一蚀刻屏障层（18）上形成（52）第一印刷特征（26）图案。第一蚀刻屏障层（18）被蚀刻在基层（14）上（54）形成第二印刷特征（32）。第二蚀刻屏障层（34）是在基层（14）上形成的，模板（20）用来在第二蚀刻屏障层（34）上形成（58）第三印刷特征（38）图案。第二蚀刻屏障层（34）被蚀刻（60）在基层（14）上形成第四印刷特征（42）。