公开号：	US2008102648A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	制作抗光模型的方法和系统
摘要：	在半导体装置层中形成抗光模型的方法包括形成一个位于半导体装置层上的缓冲层以及在缓冲层上形成一个抵抗层。在缓冲层上放置一部分分解剂，这样缓冲层和抵抗层的一部分就被移动，形成一个大体从残渣中释放出来的进程窗，然后被用来蚀刻半导体装置层。