公开号：	US2008160424A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	混合掩膜及制作混合掩膜的方法
摘要：	设计了一种混合构型掩膜，以方便半导体晶片的制造。混合掩膜包括具有光接收表面的衬底。光接收表面定义了一个面。多个模式单元蚀刻入/出光接收表面。每个模式单元定义了一个与光接收表面平行的模式表面。模式边在模式元素与光接收表面之间垂直延伸。混合掩膜还包括一个从光接收表面蚀刻出的锥形的亚分辨率辅助元素，以对半导体晶片进行定位。制造锥形的亚分辨率辅助元素，避免影响到其光致抗蚀剂残留。