公开号：	US2008181275A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法
摘要：	该产品一方面提出了一种半导体发光器件，包括：镓氮化物衬底；位于镓氮化物衬底上的多层氮化物半导体膜；包含第一硅氮化物层的第一薄膜；包含第二硅氮化物层的第二薄膜；位于第二硅氮化物层上的层压薄膜。镓氮化物衬底和氮化物薄膜有激光发射和反射面。第一硅氮化物层位于激光发射面上。第一硅氮化物层位于激光反射面上。层压薄膜包含交替层压的氧化物层和硅氮化物层。