公开号：	US2008232735A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	表面平行调制器
摘要：	介绍了一种低硅锗量子阱，阱材料在k=0（第一布里渊区的伽马点）处有一个最小能量的最低导带。满足上述条件的量子阱结构在k=0时具有kane近似带，能提供对多种设备应用，特别是光调制器有益的物理效应。在Si1-xGex材料系统中，当x大于0.7时，满足上述带结构条件。量子阱屏障成分可能或可能不含有kane近似带。该发明的产品具有一个平行表面，特别适合应用在光纤耦合器件。这样的表面平行器件在量子阱面上有光传播，如不是单模光波导更好。