公开号：	US2008273236A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	光学调制器
摘要：	一个电吸收调制器包括一个吸收层(1)在两层N-半掺半导体(2、5)之间。吸收层(1)掺杂或植入铁离子使其半绝缘。使用NiN结构而不是PiN结构大大降低了装置的串联电阻。吸收层掺杂铁降低了NiN结构的泄漏电流，并提供了空穴电子图像的重组位点。