公开号：	US2008285611A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体激光设备
摘要：	本发明的目的是要获得高增益波导半导体激光器，该设备通过抑制<100>DLD的生长显示了出高可靠性。该装置包括半导体基板上的半导体激光器增益波导结构，基底上有两个凹槽在振荡方向延伸，两槽之间是电流注入条纹，最好，构成一个量子阱的半导体激光器有源层是砷化镓组成的。