公开号：	US7194175B1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	3DSOI的光子带隙装置
摘要：	3DSOI的光子带隙装置。这种结构包括一个底板，底板有一个半导体层，半导体层下市绝缘层。这种结构至少有一个周期耦合到基板上。