公开号：	US7233730B1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	SOI方法的三维光子带隙设备
摘要：	利用SOI(NC#97881)方法的三维光子带隙设备。方法是：提供一个基底在绝缘层上组成半导体层，制造一个三维光子带隙结构，至少有一期在此结构上。